激光器芯片及TO、C-mount、多晶粒封装

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发表时间:2024-01-19 08:50

Laser Die

GaNPN线


使800~980nm


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1000um100um

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线80um线

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waferBarbar



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Bar

以每个发光单元2W有源区尺寸1um×100um计算,体发热密度2×1010W/m3。以50%电光转换效率计算,一个典型的中等功率50W/bar,腔长为1mm,热流密度为500W/cm2,电流密度1000A/cm2

PPP200nmN90um

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TO-canC-mount, Q-mount

3.1 C-mount

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3.2 TO

TOTransistor OutlineThrough-hole

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TO

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TO


3.3


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50 W PLPM4 450 20 50 W使 2000

20

Tcase 65°C 50 W

5 4

450 nm 10nm

Tcase 25 35

10°C 70°C





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文章分类: 专题报道
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